 | Друзья сайта |  |
|
Наша кнопка --------------
|  |
| Статистика | |
|
Онлайн всего: 1 В гостях: 1 Дома: 0 | |
|
 | |  |
Главная » 2018 » Май » 7 » Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов | 19:16 |
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов — В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев.
Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Название: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Автор: Красников Г. Я.
Издательство: Техносфера
Год: 2011
Страниц: 800
Формат: PDF
Размер: 24,85 МБ
ISBN: 978-5-94836-289-2
Качество: Отличное
Серия: Мир электроники
| |
Просмотров: 69 |
Добавил: pmojka
| Рейтинг: 0.0/0 |
Добавлять комментарии могут только зарегистрированные пользователи.[ Регистрация | Вход ]
|
|
|
